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半导体制造用高纯超细碳化硅粉体制备及其陶瓷高值化研究 ...
采用微波消解技术研究碳化硅微纳米微纳米粉体中Fe_2O_3,Si,SiO_2去除工艺,实验结果表明:微波功率4KW,微波频率2450MHz时,其中反应温度90℃,HCl浓度3molL~(-1),反应时 2020年3月24日 中国电子科技集团公司第二研究所的李斌等采用自蔓延法合成单晶生长用碳化硅粉体，实验中发现高真空条件下合成的碳化硅粉体纯度优于通载气条件下合成的碳 高纯碳化硅粉体合成方法研究现状综述
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碳化硅的制备及应用最新研究进展 - ResearchGate
2022年5月20日 碳化硅具有强度大、硬度高、弹性模量大、耐磨性好、导热性强和耐腐蚀性好等优异性能，被广泛地应 用于磨料磨具、陶瓷、冶金、半导体、耐火 ...2013年3月14日 超细SiC微 粉是一种化学组成均匀性好、粒径分布窄、纯度高且反应活性高的化合物，因 此本课题以形状记忆法、原位凝固法和溶胶．凝胶法合成的超细SiC粉为 超细碳化硅微粉的制备及反应烧结碳化硅性能的研究 - 豆丁网
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一种超细碳化硅粉末提纯方法[发明专利]_百度文库
2007年2月14日 本发明的优点和效果：本发明一种超细碳化硅粉末提纯方法，为超细 SiC 粉生产工艺中通过酸、碱洗碳化硅微粉使其SiC 纯度得到提高、降低SiO2FSi 含量。2016年12月15日 采用碳纳米管（CNTs）为碳源，硅粉为硅源，通过煅烧，制备出了纳米到亚微米级的超细碳化硅（SiC）粉体，研究了1 300 ℃、1 400 ℃、1 500 ℃三个不同的 硅碳直接反应法制备超细β-SiC粉-《武汉工程大学学报》
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高纯SiC微粉制备进展
2020年6月25日 综述了高纯SiC微粉主要制备工艺,介绍了近些年SiC微粉除杂提纯工艺新进展,提出未来高纯SiC微粉制备工艺应不断更新升级,产业化生产技术和装备也需要不断完 2017年4月9日 国内碳化硅 原料纯度低，总杂质含量一般在0． 35% (w)左右，而 国外进口优质碳化硅原料的总杂质在0． 17% (w)左 右。 杂质含量高，会导致重结晶碳化硅制品 重结晶碳化硅材料的制备与应用研究进展
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碳化硅中主要杂质元素的存在形式,Ceramics International ...
2021年11月17日 本研究采用 X 射线衍射 (XRD)、电感耦合等离子体原子发射光谱 (ICP-OES)、扫描电子显微镜 (SEM)、透射电子显微镜 (TEM) 和 X 射线光电子能谱 (XPS)。. 2020年3月24日 W.Z.Zhu等使用CVD法，利用硅烷与乙炔为反应气，氢气为载气，在1200～1400℃下合成了超细高纯SiC ... 硅源，苯酚树脂作为碳源，利用燃烧法在1700～2000℃的范围内，合成了粒径在10～500μm，杂质含量质量分数低于0.5×10-6 高纯碳化硅粉体合成方法研究现状综述
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碳化硅的制备及应用最新研究进展 - ResearchGate
2022年5月20日 生产的碳化硅粉体不够细，杂质 多，能耗低，效率低，但由于操作工艺简单，仍被广泛用于碳化硅的制 ... 的超细碳化硅(SiC)粉体，且均为β-SiC ...2013年12月25日 61《现代仪器》2011年第6期第17卷总97期分析测试摘 要 本文采用ICP-MS法对高纯碳化硅粉表面的Na、Al、Ti、V、Cr、Mn、Fe、Co、Ni、Cu、Zn、Cd12种痕量杂质进行测定，用氢氟酸溶液浸提试样表面杂质，用钇做内标补偿基体效应和仪器的 ...ICP-MS 法测定高纯碳化硅粉表面的痕量杂质 - 现代仪器 - 豆丁网
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超细碳化硅微粉的制备及反应烧结碳化硅性能的研究 - 豆丁网
2013年3月14日 54nm的超细SiC微粉，其氧含量在3～5％。溶胶．凝胶法制备的SiC粉杂质含量最少，确定了溶胶．凝胶方法的最佳工艺条件，得出除Si02幂lC杂质的最优方法；（2）通过悬浮液光吸收方法确定了SiC粉体的最佳分散条件，并从分子结构上碳化硅晶舟（SICBOAT）如何做到99.99%的高纯度？_百度文库 烧结碳化硅陶瓷制品，采用高纯超细碳化硅微粉，经2450℃高温烧结而成，碳化硅含量在99.1%以上，制品密度 ≥3.10g/cm3,不含金属硅等金属杂质。 碳化硅陶瓷晶舟，碳化硅 获取价格超细碳化硅杂质含量
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国内外碳化硅陶瓷材料研究与应用进展 CERADIR 先进陶瓷在线
2022年4月24日 碳化硅陶瓷也被认为是最有发展潜力的高性能防弹装甲材料之一（图 23），碳化硅的硬度仅次于金刚石和碳化硼，其莫氏硬度达到了 9. 2 ～ 9. 6，其优势在于高硬度、高弹性模量。碳化硅的晶体结构决定了其韧性较低，当受到子弹撞击的时候，其超高的 2021年12月4日 单晶生长用碳化硅为何有如此天价？ 中国粉体网讯 碳化硅是个神奇的材料，无论是低品质还是高品质，都有它的用武之地，甚至在很多领域中还是首选材料。 例如，在冶炼方面，低品质碳化硅是一种优秀的脱氧剂；在加工领域，它是应用最广泛的磨削材料；在高温领域，它是一种性能优异的耐火 ...每公斤2000~12000 元？这种碳化硅堪称“万金之躯”！-要闻 ...
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超细碳化硅杂质含量
超细。一种低温低成本高纯碳化硅超细微粒的制备方法工业碳化硅含杂质的种类和含量不同，呈现浅黄、绿、蓝乃黑色，许多应用因工业碳化硅纯度不高而受到限制。[0003]随着半导体工业的快速增长，特别是太阳能电池行业的。2007年2月14日 技术领域 本发明涉及一种清除生产SiC 细粉工艺中的杂质进行酸洗净方法，尤其涉 及一种超细碳化硅粉末提纯方法. 背景技术 半导体制造用SiC 细粉陶瓷原料的生产是采用球磨法，制造纯度大于96 ％， 平均粒径在0.8 μm 的超细SiC 粉，为了保证SiC 细粉的高纯度必须进行酸洗净 工艺。一种超细碳化硅粉末提纯方法[发明专利]_百度文库
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陶瓷级碳化硅微粉提纯试验研究 - 豆丁网
2014年9月15日 陶瓷级碳化硅微粉提纯试验研究赵平1,2张艳娇1,2刘广学1,2邵伟华1,2常学勇1,2（1中国地质科学院郑州矿产综合利用研究所，郑州450006；2国家非金属矿资源工程技术利用研究中心，郑州450006）摘要某常压烧结陶瓷级碳化硅微粉要求原料平均粒度D500.8µm，对原料中杂质铁、碳、硅的含量要求较严格，通过 ...超细碳化硅微粉的制备及反应烧结碳化硅性能的研究《武汉 反应烧结碳化硅 (RBSC)材料可以作为密封件、热交换器件和喷嘴等材料。 但是由于普通RBSC陶瓷的原料杂质含量高、粒径分布宽及成型工艺和烧结工艺的多样化等,导致RBSC 2022年2月23日一般来说导热率取决于碳化硅结晶颗粒中杂质的含量，杂质 ...超细碳化硅杂质含量
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无压烧结碳化硅辊棒--1900℃，0金属杂质_陶瓷
2021年1月30日 无压烧结碳化硅辊棒，常压烧结碳化硅陶瓷制品在成型过程中压力为250MPa，保压时间为90s；粘结剂用量为物料总质量的3%；含有C、B4C元素作为烧结助剂的碳化硅陶瓷烧结属于固相烧结，烧结过程主要由扩散机制控制,烧结温度为2450℃；含 特点：所制备的碳化硅产物高纯度、细分散； 相似方法：含有硅和碳的气体在高温下发生反应，由此 可合成出纳米级的β-SiC 超细粉。 （3）热分解法 使聚碳硅烷或三氯甲基硅烷等有机硅聚合物在1200℃一 1500℃的温度范围内发生分解反应, 由此可合成出亚微米级 张波—碳化硅分解 - 百度文库
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晶体硅金刚石线切割废料资源化利用研究进展 - 百度学术
摘要： 晶体硅太阳能电池是光伏行业中最重要的一种电池.在利用硅原料制备电池材料的过程中,需要将硅锭切割成硅薄片.切割过程中近一半的硅会以超细粉末形式进入切割液形成大量切割废料,造成硅资源浪费以及环境污染.切割废料由90%的硅粉和少量的Fe,Al,Ca等杂质组成.目前切割废料利用的研究主要 ...2014年6月10日 化学分析计量CHEMICALANALYSISANDMETERAGE第卷，第6期013年11月Vol.，No.6Nov.0136doi：10.3969／j.issn.1008–6145.013.06.007等离子体发射光谱法测定碳化硅中的游离总硅含量*柳洪超，鲁毅，刘霞，郭国建，吴立军，李颖，黄辉，李本涛 徐云霞 （中国兵器工业集团第五三研究，济南 50031） （北方通用动力集团有限公司 ...等离子体发射光谱法测定碳化硅中的游离总硅含量 - 道客巴巴
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一种超细碳化硅粉末提纯方法
2007年2月14日 本发明涉及一种清除生产SiC细粉工艺中的杂质进行酸洗净方法，尤其涉及.背景技术半导体制造用SiC细粉陶瓷原料的生产是采用球磨法，制造纯度大于96％，平均粒径在0.8μm的超细SiC粉，为了保证SiC细粉的高纯度必须进行酸洗净工艺。采用物理超微粉碎技术，进行碳化硅细粉产业化生产工艺，碳化硅 ...2019年4月16日 这样可以很干净快捷的去除碳化硅中的杂质。 ②其次是碳化硅的碱洗。碳化硅的碱洗通常是在加热的条件下，用NAOH对碳化硅颗粒进行处理，主要目的是除去表面的游离硅，二氧化硅等等，这样可以提高碳化硅的含量，加强它的碳化硅含量。在使用碳化硅制品中有杂质出现，该怎样去除？ - 百度知道
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TCASAS 032—2023《碳化硅晶片表面金属元素含量的测定 ...
2023年7月4日 T/CASAS03—031碳化硅晶片表面金属元素含量的测定电感耦合等离子体质谱法1范围本文件描述了电感耦合等离子体质谱法测定碳化硅晶片表面金属元素含量的方法。本文件适用于碳化硅单晶抛光片和碳化硅外延片表面痕量金属钠、铝、钾、钙、钪、钛、钒、铬、锰、铁、钴、镍、铜、锌、银、钨、金 ...2021年1月29日 碳化硅晶舟（SIC BOAT）、陶瓷晶舟如何做到99.99%的高纯度？ 西安中威（ZHWE）®系列碳化硅陶瓷晶舟,SIC晶舟，陶瓷晶舟纯度>99.975%使用寿命长>5年，主要应用于太阳能、半导体扩散制程。具有耐磨损、耐腐蚀、耐高温冲击，耐电浆轰击 ...碳化硅晶舟（SIC BOAT）如何做到99.99%的高纯度？_烧结
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一种超细碳化硅粉末的制备方法与流程
2023年12月20日 18、本发明要解决的另一个技术问题是，提供一种超细碳化硅粉末。19、本发明的另一个技术解决方案是，提供一种超细碳化硅粉末，其通过权利要求1-8中任一项所述的制备方法得到，所述碳化硅粉末根据bet比表面积换算的平均粒径为10-250nm。摘要： 以低品位碳化硅粗粉为原料,通过球磨工艺制备高性能超细碳化硅粉体,研究球磨时间,球料质量比,转速等球磨参数对碳化硅粉体微观结构及性能的影响.结果表明:随着球磨时间,球料质量比,转速的增加,碳化硅粉体的粒度逐渐减小,粉体振实密度不断减小,但是碳化硅粉体形成的圆锥高度逐渐增大 ...球磨法制备超细碳化硅粉体 - 百度学术
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纳米碳化硅_报价-上海超威纳米科技有限公司 - cnpowder.cn
纳米碳化硅粉、超细 碳化硅粉通过可变电流激光离子束气相法制备，通过可变电流，高压放电，可以充分克服直流电弧的缺点（反应不充分，产物杂质高，生成物稳定性差等）。具有纯度高、粒径分布范围小、高比表面积；纳米碳化硅具有化学性能稳定 ...2024年7月4日 碳化硅的不同晶型 碳化硅的合成 在工业生产中，用于合成 SiC 的石英砂和焦炭通常含有 Al 和 Fe 等金属杂质。其中杂质含量少的呈绿色，被称为绿色碳化硅；杂质含量多的呈黑色，被称为黑色碳化硅。一般碳化硅含量愈高、颜色愈浅，高纯碳化硅应为无色。碳化硅陶瓷件生产工艺和应用-新闻中心-上海戎创铠迅特种材料 ...
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湿法制备超细粒碳化硅微粉试验研究 - 百度文库
2009年1月19日 湿法制备超细粒碳化硅微粉试验研究- 湿法制备超细粒碳化硅微粉试验研究 首页 文档 视频 音频 文集 文档 公司财报 ... 高梯度强磁选设除铁试验结果表明，当磁场强度达 955 千安 / 米时 , 不仅非磁性产品中全铁含量由 0.31% 降低到 0.11%，而且非 ...摘要： 碳化硅(SiC)陶瓷具有高熔点,高硬度,耐磨损和强度高等优点,是重要的高温结构材料之一.反应烧结碳化硅(RBSC)材料可以作为密封件,热交换器件和喷嘴等材料.但是由于普通RBSC陶瓷的原料杂质含量高,粒径分布宽及成型工艺和烧结工艺的多样化等,导致RBSC材料的性能不高.超细SiC微粉是一种化学组成 ...超细碳化硅微粉的制备及反应烧结碳化硅性能的研究 - 百度学术
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碳化硅含量的测定综述 - 豆丁网
2011年3月22日 碳化硅熔点高，耐高温，有较高的强度和耐磨性好，化学性质稳定，耐腐蚀，可用于制造磨料、磨具、硅碳棒，特种耐火材料的填加料等，国内外市场需求量较大[1]。碳化硅含..W14超细碳化硅微粉纯度非常高，杂质含量比较低，电绝缘性能优异，使得固化物具有良好的绝缘性能，还有很好的抗电弧性能。 硅微粉的类型非常多，按照不同的型号将其分为F240的硅微粉，根据不同的使用途径将其包括环氧地坪用硅微粉以及密封胶用硅微粉等等类型，不同的类型会有不同的特点。W14超细碳化硅微粉_报价-昌乐县正鑫碳化硅材料有限公司
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