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对4H-碳化硅探测器输出信号放大的电流脉冲型前端电路及放大 ...
2023年8月7日 本发明公开了一种对4H‑碳化硅探测器输出信号放大的电流脉冲型前端电路及放大方法，该电流脉冲型前端电路包括第一级跨阻抗放大电路、第二级低通滤波器、第 对半导体探测器结构和物理特性进行了研究，并重点介绍了电流型碳化硅（SiC）探测器的设计制作、响应性能研究、抗辐照性能研究等内容，为电流型半导体探测器的研究和应用 电流型碳化硅探测器
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碳化硅功率器件：特性、测试和应用技术 - 知乎
2024年3月1日 本书介绍了碳化硅功率器件的基本原理、特性、测试方法及应用技术，概括了近年学术界和工业界的*新研究成果。 本书共分为9章：功率半导体器件基础，SiC 2021年10月22日 碳化硅 (SiC) 技术为电源、电动汽车和在家充电、大功率工业设备、太阳能应用和数据中心等多个行业显著提高了功率传输和管理性能。 由于SiC更高的额定电压、更低的系统运行温度、具备更高的电流 SiC MOSFET 的动态表征和测量方法 Wolfspeed
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碳化硅功率模块及电控的设计、测试与系统评估
2021年1月7日 碳化硅功率半导体近年来在能源转换应用中正在成为一个热门的话题：由于材料属性，使得它具有比硅基半导体器件更高的最大结温、更小的损耗，以及更小的材料热阻系数等。 因此，很多人宣称，当碳化 2023年7月25日 碳化硅的高导热性可以承载高电流，且在同时有效散热。 碳化硅半导体材料与生俱来的高电流能力 提供了非常高的电流运作，且在同时将接面温度维持在最低。碳化硅功率肖特基二极管的特性 如何提供更强大的应用功能
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东芝推出全新1200V和1700V碳化硅MOSFET模块，
2022年1月26日 东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，推出两款全新碳化硅（SiC）MOSFET双模块---“MG600Q2YMS3”和“MG400V2YMS3”：前者额定电压为1200V，额定漏极电流为600A；后 2020年3月16日 摘要:碳化硅(silicon carbide,SiC)器件作为一种宽禁带半导体器件,具有耐高压、高温,导通电阻低等优点。 近20年来,SiC器件是国内外学术界和企业界的一大研究热 碳化硅功率器件技术综述与展望 - CSEE
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多个维度来分析碳化硅SIC跟IGBT应用上的区别！
2022年4月28日 碳化硅器件的高压高频和高效率的优势，可以突破现有电动汽车电机设计上因器件性能而受到的限制，这是目前国内外电动汽车电机领域研发的重点。 如电装和丰田合作开发的混合电动汽车（HEV）、纯电 2020年3月16日 触的设计，可以将浪涌电流能力提高2~4 倍[7]。通 过设计以及工艺上的改进[8]，各厂家二极管的浪涌 能力普遍达到额定电流的10 倍以上。而Infineon 通过元胞优化，其浪涌电流密度达到了5600A/cm2 的水平，为额定电流的18 倍。Cree 和Infineon 公碳化硅功率器件技术综述与展望 - CSEE
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双脉冲测试之杂散电感测试 - 芯聚能
2021年1月29日 在双脉冲测试中，在开通瞬间和关断瞬间器件的电流均发生快速变化，进而在线路的杂散电感上产生感应电压，所以在开通瞬间和关断瞬间均可测量杂散电感。通过测试出特定时间段内杂散电感上电压和电流的变化值，通过上述公式即可计算出杂散电感值。本书介绍了碳化硅功率器件的基本原理、特性、测试方法及应用技术，概括了近年学术界和工业界的*新研究成果。本书共分为 ...碳化硅功率器件：特性、测试和应用技术 - 序 - 高远 陈桥梁 ...
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静态脉冲电流源
双能CT碳化硅高压发生器 一体式碳化硅X射线源 静态脉冲电流源 性能特点 产品参数 性能特点： 忱芯科技SMC50B静态脉冲电流源表针对功率半导体器件的特征分析与测试而设计，可广泛应用于IGBT、SiC MOSFET ...2023年6月8日 碳化硅mosfet双极退化脉冲实验平台及计算方法技术领域.本发明属于高压大功率碳化硅半导体器件可靠性测试领域，具体涉及一种针对碳化硅mosfet器件双极退化研究的脉冲实验平台设计及平台参数指标计算方法。背景技术.与半导体硅(si)材料相比，宽禁带半导体碳化硅(sic)材料展现出了宽带隙、高导热 ...碳化硅MOSFET双极退化脉冲实验平台及计算方法 - X技术网
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SiC 器件选型要点和双脉冲测试技术
4 天之前 SiC MOSFET 双脉冲测试技术 4. 特励达力科 SiC 测试解决方案 技术亮点： 全面解读 SiC 功率器件的核心参数，介绍双脉冲测试技术原理以及注意事项，以及特励达力科测试方案如何应对 SiC 的测试挑战 学习收获： 1. 了解 SiC 功率器件的核心参数 2.2024年4月2日 双脉冲电路简化模型 结论如下：1）所设计驱动器的短路保护功能，当短路保护电流阈值设定为 800A 时候，可以在 1.640 μs内实现快速短路保护。2）通过采用高可靠性驱动芯片，增加共模滤波电感，优化驱动回路的走线布局，使得所设计的驱动电路具有较高抗干扰性和可靠性，适用于大功率SiC MOSFET ...碳化硅模块（SiC MOS模块）大电流下的驱动器研究,突破大 ...
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SiC MOSFET 的动态表征和测量方法 Wolfspeed
2021年10月22日 碳化硅 (SiC) 技术为电源、电动汽车和在家充电、大功率工业设备、太阳能应用和数据中心等多个行业显著提高了功率传输和管理性能 ... 将 MOSFET 动态性能进行表征化的第一步是使用双脉冲测试 (DPT) 测量器件的电压和电流。通过测量这两种波形 ...2020年6月16日 脉冲电流测试是碳化硅 等功率器件测试中的一个重要测试。用户可考虑各种罗氏线圈在频率和测试空间的不同优势，选择适合的罗氏线圈执行这一测试。 相关产品 ...碳化硅SiC的电流测试方案_化工仪器网
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电流型碳化硅探测器
本文从电流型半导体探测器的起源、传统电流型探测器在应用中的问题出发，论述了国内外在新型半导体探测器研制和电流型半导体探测器的研究现状。对半导体探测器结构和物理特性进行了研究，并重点介绍了电流型碳化硅（SiC）探测器的设计制作、响应性能研究、抗辐照性能研究等内容，为电流 ...2024年6月7日 宽禁带(WBG)半导体材料，如碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)这些材料不仅在耐高温和耐高压方面表现出色，还具备低损耗、快速开关频率等特性。然而，要充分发挥这些先进材料的潜力，精确的测试和测量技术至关重要。特别是在双脉冲测试中，光隔离探头不仅确保了测试的安全性，还提高了测试测量的准确 ...干货必读光隔离探头为什么在双脉冲测试中不可或缺-麦科信 ...
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碳化硅功率肖特基二极管的特性 如何提供更强大的应用功能
2023年7月25日 碳化硅功率肖特基二极管的峰值正向电流和平均功耗规格限制了正向传导脉冲电流。当过大的正向 电流被施加时，二极管封装中的焊线将扮演保险丝的角色。最大正弦波脉冲电流的指定方式同于保 险丝，亦即 I2t 额定值 (以 A2s 为单位) 。2021年11月9日 对于电网转换、电动汽车或家用电器等高功率应用，碳化硅 (SiC) MOSFET 与同等的硅 IGBT 相比具有许多优势，包括更快的开关速度、更高的电流密度和更低的导通电阻。但是，SiC MOSFET 也存在自己的一系列问题，包括稳健性、可靠性、高频应用中的瞬时振荡，以及故障处理等。SiC MOSFET高频振荡的简单分析_mosfet关断过程产生 ...
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碳化硅探测器的最大线性电流研究
本文研究了电流型碳化硅 探测器的最大线性电流特性，给出了最大线性电流计算方法，分析了辐射类型、灵敏区面积、灵敏区厚度和耗尽区电场强度对最大线性电流的影响，利用强脉冲X射线加速器和紫外激光源实验研究了碳化硅探测器的最大线性电流 ...2023年5月22日 P系列脉冲源表是普赛斯在经典S系列直流源表的基础上打造的一款高精度、大动态、数字触摸源表，汇集电压、电流输入输出及测量等多种功能，最大输出电压达300V，最大脉冲输出电流达10A，支持四象限工作，被广泛应用于各种电气特性测试中。碳化硅功率器件可靠性测试的挑战与解决方案-普赛斯仪表国产 ...
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浅谈SiC MOSFET之双脉冲原理_mos双脉冲测试-CSDN博客
2024年5月14日 什么是双脉冲测试？在“通过双脉冲测试评估MOSFET的反向恢复特性”中，我们将通过双脉冲测试来评估MOSFET体二极管的反向恢复特性，并确认MOSFET损耗情况。MOSFET体二极管的反向恢复特性与桥式电路损耗的关系 在逆变器电路和Totem Pole型功率因数改善（PFC）电路等具有2个以上MOSFET的桥式电路中，由于 ...2020年7月30日 硅IGBT在一般情况下只能工作在20kHz以下的频率。由于受到材料的限制，高压高频的硅器件无法实现。碳化硅MOSFET不仅适合于从600V到10kV的广泛电压范围，同时具备单极型器件的卓越开关性能。相比于硅IGBT，碳化硅MOSFET在开关电路中不存在电流拖尾的情况具有更低的开关损耗和更高的工作频率。SiC碳化硅二极管抗浪涌电流能力缺点及应对方式 - CSDN博客
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多个维度来分析碳化硅SIC跟IGBT应用上的区别！ - 知乎
2022年4月28日 相同电压、电流等级情况下，碳化硅MOS芯片面积比IGBT 芯片要小，设计出的功率模块功率密度更大，更小巧；碳化硅芯片耐更高的温度，理论上远超175℃；高频电源设计能够缩小系统储能器件的体积，例如大电感及大容量电容等 ...2022年4月1日 碳化硅功率半导体近年来在能源转换应用中正在成为一个热门的话题：由于材料属性，使得它具有比硅基半导体器件更高 ... 后者通常的实现方法是一种称为“双脉冲测试”的方法，它需要对于被测器件施加不同的电压、电流、器件温度，甚至不 ...碳化硅功率模块及电控的设计、测试与系统评估 - 亿伟世科技
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聊一聊关于碳化硅双脉冲测试中遇到的串扰问题 - 模拟技术 ...
2023年8月27日 聊一聊关于碳化硅双脉冲测试中遇到的串扰问题-碳化硅具有更快的切换速度（更短的切换时间），较低的损耗，更高的开关频率，更高的耐压能力以及更好的温度特性，相应地带来效率的替身，系统磁性元器件减小，功率密度的提升等优势。2022年2月23日 二.碳化硅MOSFET的驱动电流 及驱动损耗计算 在高压，大功率应用中，为了减小开关损耗，对驱动能力的要求更高，所以，对驱动器的驱动能力需要去提前评估。一般来说，对于一定开关频率freq下，碳化硅MOSFET的门级电荷为Qg时，其对驱动电流的 ...干货分享 关于碳化硅MOSFET驱动电路设计的详细分析 ...
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国产（SiC ）碳化硅MOSFET的封装、系统性能和应用 ...
2024年6月6日 文章浏览阅读507次。文章详细描述了国产SiCMOSFET在高压转换器中的特点，如封装选择、VDD与IDD特性，以及NCP51705控制器的开关行为和应用实例，如低边开关、半桥和QR反激式转换器。通用EVB评估板也被提及，作为评估SiCMOSFET性能的2022年12月6日 太原赛因新材料科技有限公司经过两年的设计和改进，研发出世界上最先进的脉冲闪蒸焦耳热反应器：赛因脉冲电闪蒸反应器。脉冲电闪蒸反应器是赛因新材料公司开发的实现闪蒸焦耳热和快速焦耳热反应装置，可以实现文献中的所有功能，简单高效地制备各种新型纳米材料。自2020年以来，已经有 ...脉冲+闪蒸+焦耳热：这种纳米制备新技术已发表10篇Nature ...
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SiC FET的脉冲电流能力量化 电子创新元件网
2023年11月30日 该图显示了脉冲电流的中间值和允许的持续时间。可以看到，电流脉冲后具有多个热时间常数的结冷却，以及大约1秒的总体最坏情况下的加热和冷却时间，之后的脉冲可以被视为单个事件。 图2：UJ4SC075005L8S在175°C的最大结温下的实际峰值电流能力 2021年7月6日 本发明涉及碳化硅(sic)mosfet器件技术领域，尤其涉及一种基于双脉冲测试的碳化硅mosfet关断过程建模方法。背景技术sic器件作为新型功率半导体，相比传统的硅(si)基功率半导体具有宽禁带，高击穿场强，高导热率，高开关速度，低开关损耗等优势，具有广阔的应用场景。最新的研究指出，sicmosfet在 ...一种基于双脉冲测试的碳化硅MOSFET关断过程建模方法与流程
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SiCer小课堂 TO-247封装碳化硅MOSFET中引入辅助源极管 ...
2022年8月30日 （1）双脉冲测试时的重要注意事项---电流 探头的相位校准 对传统的硅基分立器件（硅IGBT和硅MOSFET），通常是用柔性电流探头（罗氏线圈）去测试集电极电流或漏极电流。但对于开关速度更快的碳化硅MOSFET，在实际测试过程中，由于柔性电流探头 ...
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