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碳化硅_百度百科
碳化硅有黑碳化硅和綠碳化硅兩個常用的品種，都屬α-SiC。 ①黑碳化硅含SiC約95%，其韌性高於綠碳化硅，大多用於加工抗張強度低的材料，如玻璃、陶瓷、石材、耐火材料、 2024年1月2日 碳化硅的硬度很高，莫氏硬度为9.2～9.5，但比金刚石、立方氮化硼等几种物质稍低。碳化硅的热导率很高，大约为氮化硅的2倍；其热膨胀系数约为三氧化二铝的一 碳化硅_化工百科 - ChemBK
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三了解第三代半导体材料：碳化硅（SiC） - 知乎
2019年7月25日 碳化硅作为第三代半导体材料的典型代表，也是目前晶体生产技术和器件制造水平最成熟，应用最广泛的宽禁带半导体材料之一，目前在已经形成了全球的材料、器件和应用产业链。 是高温、高频、抗辐射 2024年1月26日 半导体碳化硅(SiC)是一种Si元素和C元素以1:1比例形成的二元化合物，即百分之五十的硅（Si）和百分之五十的碳（C），其基本结构单元为 Si-C 四面体。 而碳化 碳化硅(SiC)半导体结构及生长技术的详解； - 知乎
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什么是碳化硅（SiC）陶瓷？用途及其制作方法？ - 知乎
2023年9月12日 碳化硅，又称SiC，是一种由纯硅和纯碳组成的 半导体基材。 您可以用氮或磷掺杂 SiC 以形成 n 型半导体，或用铍、硼、铝或镓掺杂以形成 p 型半导体。 虽然碳化 2019年7月18日 碳化硅（SiC）属于第三代半导体材料，具有1X1共价键的硅和碳化合物，其莫氏硬度为13，仅次于钻石（15）和碳化硼（14）。 据说，SiC在天然环境下非常罕见，最早是人们在太阳系刚诞生的46亿年前 带你全方位了解碳化硅(SiC) - ROHM技术社区
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碳化硅的结构-碳化硅的结晶结构 - Silicon Carbide
2020年3月31日 碳化硅是由碳原子和硅原子以共价键为主相结合而构成的化合物。. 共价键是四种基本的键型（离子键、共价键、金属键、分子键）中结合力最强的一种，再加上 2023年6月22日 碳化硅，也称为 SiC，是一种半导体基础材料，由纯硅和纯碳组成。 您可以在 SiC 中掺入氮或磷来形成 n 型半导体，或者掺入铍、硼、铝或镓来形成 p 型半导体。什么是碳化硅 (SiC)？用途和制作方法 Arrow
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系列详解第三代半导体发展之碳化硅（SiC）篇_材料
2019年6月13日 经过半个多世纪的发展，基于硅材料的功率半导体器件的性能已经接近其物理极限。因此，以碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）等为代表的第三代半导体材料的发展开始受到重视。2020年3月31日 碳化硅是由碳原子和硅原子以共价键为主相结合而构成的化合物。共价键是四种基本的键型（离子键、共价键、金属键、分子键）中结合力最强的一种，再加上碳原子与硅原子相互作用成键时，发生了电子在壳层上的转移，形成了键能更为坚强的SP3杂化轨道，这就是碳化硅形成类金刚石的结构、具有 ...碳化硅的结构-碳化硅的结晶结构 - Silicon Carbide
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碳化硅（SiC）功率器件封装：揭秘三大核心技术-电子工程专辑
2024年8月1日 通过减小高频开关电流回路的面积实现低杂散电感是碳化硅封装的一种技术发展趋势。然而，实现碳化硅封装技术的突破并大规模应用，还需要开展大量的工作，以下列举一些核心挑战以及前景展望： 1、低杂散电感封装结构综合性能的进一步研究验证。2022年8月26日 门极回路杂散电感Ltrace是驱动回路PCB布局时引入的，而杂散电感Lsource则是封装管脚源极到芯片内部带来的寄生电感。对于漏极到芯片背面的寄生电感Ldrain并没有在驱动回路中，因此不在分析的范围中。图2 新的TO-247-4封装的碳化硅MOSFET模型SiCer小课堂 TO-247封装碳化硅MOSFET中引入辅助源极管 ...
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4H 碳化硅衬底及外延层缺陷图谱
2018年11月21日 4H碳化硅衬底及外延层缺陷图谱 1 范围 本标准阐述了4H-SiC衬底及外延缺陷的图谱，其中包括4H-SiC衬底缺陷、外延缺陷以及 工艺产生的缺陷。 本标准给出了4H碳化硅（4H-SiC）衬底及外延层的主要缺陷、工艺与加工缺陷等方面2024年1月26日 半导体碳化硅(SiC)是一种Si元素和C元素以1:1比例形成的二元化合物，即百分之五十的硅（Si）和百分之五十的碳（C），其基本结构单元为 Si-C 四面体。而碳化硅(SiC)晶体，就是由碳原子和硅原子有序排列而成。选择碳碳化硅(SiC)半导体结构及生长技术的详解； - 知乎
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系列详解第三代半导体发展之碳化硅（SiC）篇_材料
2019年6月13日 （2）碳化硅功率模块的封装工艺和封装材料基本沿用了硅功率模块的成熟技术，在焊接、引线、基板、散热等方面的创新不足，功率模块杂散参数较大，可靠性不高。 （3）碳化硅功率高温封装技术发展滞后。2023年9月26日 碳化硅(silicon carbide，SiC)功率器件作为一种宽禁带器件，具有耐高压、高温，导通电阻低，开关速度快等优点。如何充分发挥碳化硅器件的这些优势性能则给封装技术带来了新的挑战：传统封装杂散电感参数较大，难以匹配器件的快速开关特性；器件高温工作时，封装可靠性降低；以及模块的多功能 ...碳化硅封装——三大主流技术！-电子工程专辑
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深度去除高纯碳化硅粉体中杂质元素的方法与流程
2019年5月7日 本发明将含杂的碳化硅粉体装载于高纯石英坩埚内进行反应，以减少其它杂质的带入。经反复试验证实：碳化硅物料装填的厚度越薄，杂质的效果越好，故本发明还提出含杂的碳化硅粉体厚度为1～8cm。更优选的含杂的碳化硅粉体厚度为2cm。2024年4月19日 表1、碳化硅器件典型封装结构 1、单管翻转贴片封装 阿肯色大学团队借鉴BGA的封装技术， 提出了一种单管的翻转贴片封装技术，如图2所示。该封装通过一个金属连接件将芯片背部电极翻转到和正面电极相同平面位置，然后在相应电极位置上植上焊锡球，消除了金属键合线和引脚端子。半导体碳化硅(SIC)功率器件封装关键技术及未来展望的详解；
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雜質的解释雜質的意思汉典“雜質”词语的解释
雜質 网络解释 百度百科 杂质 杂质在药学中是指药物中存在的无治疗作用或者影响药物的稳定性、疗效，甚至对人体的健康有害的物质。在药物的研究、生产、贮存和临床应用等方面，必须保持药物的纯度，降低药物的杂质，这样才能保证药物的有效性 ...2022年8月26日 门极回路杂散电感Ltrace是驱动回路PCB布局时引入的，而杂散电感Lsource则是封装管脚源极到芯片内部带来的寄生电感。对于漏极到芯片背面的寄生电感Ldrain并没有在驱动回路中，因此不在分析的范围中。图2 新的TO-247-4封装的碳化硅MOSFET模型SiCer小课堂 TO-247封装碳化硅MOSFET中引入辅助源极管 ...
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微波酸碱处理微纳米碳化硅粉体杂质去除工艺研究 - 百度学术
利用微波消解技术和酸碱化学介质对微纳米碳化硅粉体中Fe_2O_3,Si,SiO_2去除工艺进行了研究.正交试验结果表明:微波功率4 k W,微波频率2450 MHz时,反应温度90℃,盐酸浓度3 molL~(-1),反应时间10 min,液固比4:1,Fe_2O_3去除率达到97.4%;反应温度90℃,氢氧2010年7月19日 sp3杂化 碳化硅水原子晶体，不存在碳化硅微粒，一个碳周围连着四个硅，以共价键相连。碳化硅的结构类似于金刚石。 已赞过 已踩过 你对这个回答的评价是？ 评论 收起 推荐律师服务： 若未解决您的问题，请您详细描述您的问题，通过百度律 ...碳化硅中的C原子的杂化方式是什么？为什么？（怎样判断杂 ...
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SiCer小课堂 TO-247封装碳化硅MOSFET中引入辅助源极管 ...
2022年8月26日 门极回路杂散电感Ltrace是驱动回路PCB布局时引入的，而杂散电感Lsource则是封装管脚源极到芯片内部带来的寄生电感。对于漏极到芯片背面的寄生电感Ldrain并没有在驱动回路中，因此不在分析的范围中。图2 新的TO-247-4封装的碳化硅MOSFET模型2024年5月6日 碳化硅晶圆的制造流程涉及前驱体净化处理、高温高压下的化学反应生成固态碳化硅、定向生长以及后续加工等关键步骤。这些步骤共同确保了碳化硅晶圆的高品质制造。碳化硅晶圆因其高硬度、出色的耐磨性、高温稳定性、优异的电学性能、良好的透光性和抗辐射能力，在半导体和电子器件领域 ...碳化硅晶圆：特性与制造，一步了解 - ROHM技术社区
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碳化硅功率器件封装的三个关键技术详解； - 知乎
2023年10月27日 碳化硅(silicon carbide，SiC)功率器件作为一种宽禁带器件，具有耐高压、高温，导通电阻低，开关速度快等优点。如何充分发挥碳化硅器件的这些优势性能则给封装技术带来了新的挑战：传统封装杂散电感参数较大，难以匹配器件的快速开关特性；器件高温工作时，封装可靠性降低；以及模块的多功能 ...2023年12月5日 碳化硅(silicon carbide，SiC)功率器件作为一种宽禁带器件，具有耐高压、高温，导通电阻低，开关速度快等优点。如何充分发挥碳化硅器件的这些优势性能则给封装技术带来了新的挑战：传统封装杂散电感参数较大，难以匹配器件的快速开关特性；器件高温工作时，封装可靠性降低；以及模块的多功能 ...半导体碳化硅（SIC）封装的三大主流技术； - 知乎
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哈尔滨理工大学蔡蔚教授团队研究成果：SiC 功率模块封装 ...
2022年5月18日 碳化硅模块封装的主要问题 近几十年来，以新发展起来的第3代宽禁带功率半导体材料碳化硅（SiC）为基础的功率半导体器件，凭借其优异的性能备受人们关注。SiC与第1代半导体材料硅（Si）、锗（Ge）和第2代半导体材料砷化镓（GaAs）、磷化镓 ...2019年9月5日 碳化硅功率器件生产过程 衬底方面：通常用Lely法制造，国际主流产品正从4英寸向6英寸过渡，且已经开发出8英寸导电型衬底产品，国内衬底以4英寸为主，质量相对薄弱，主要用于生产10A以下小电流产品，目前单晶生长缓慢且品质不够稳定是碳化硅价格高、市场推广慢的重要原因。第三代半导体发展之碳化硅（SiC）篇 - 知乎
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详解碳化硅MOSFET跟IGBT应用上的区别！ - 亿伟世
2022年4月25日 碳化硅mosfet模块在光伏、风电、电动汽车及轨道交通等中高功率电力系统应用上具有巨大的优势。碳化硅器件的高压高频和高效率的优势，可以突破现有电动汽车电机设计上因器件性能而受到的限制，这 2014年3月26日 碳化硅生产过程中产生的问题： 1.施工期的环境影响及预防或者减轻不良环境影响的对策和措施的要点: ①扬尘，土石方施工、建筑材料的运输和堆存会产生扬尘，对周围环境空气产生影响;②施工机械排放的尾气;③噪声，施工车辆、建筑机械运行和施工材料的碰撞产生噪声，影响声环境质量;④建筑 ...碳化硅生产工艺中主要产生哪些污染物?如何防治污染?常见 ...
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碳化硅功率器件封装关键技术综述及展望 - 知乎
2024年4月14日 表1、碳化硅器件典型封装结构 1.1单管翻转贴片封装 阿肯色大学团队借鉴BGA的封装技术， 提出了一种单管的翻转贴片封装技术，如图2所示。该封装通过一个金属连接件将芯片背部电极翻转到和正面电极相同平面位置，然后在相应电极位置上植上焊锡球，消除了金属键合线和引脚端子。2024年5月21日 目前碳化硅二极管(SBD)、MOSFET已经开始商业化应用。 1.碳化硅晶圆（裸芯片）： 指碳化硅功率器件集成电路制作所用的晶片，由于其形状为圆形，故称为晶圆；在晶片上可加工制作成各种电路元件结构，而成为有特定电性功能之超快高频功率器件产品。碳化硅器件的特性优势和八大应用领域 – CN知EV
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碳化硅单晶生长取得新进展！ - Zhejiang University
2024年6月4日 想要降低碳化硅衬底的成本，主要得从碳化硅单晶入手。 价格昂贵的碳化硅衬底是利用切、磨、抛等工艺加工碳化硅单晶而得。 如果生长出更厚的碳化硅单晶，那不仅能减少籽晶的用量，缩短单位厚度晶体的生长时间、提高生产效率，还能减少能耗和辅材用量，从而显著降低碳化硅衬底的成本。摘要： 本发明公开了一种具有高效除杂功能的碳化硅制备工艺,具体包括以下步骤:S1,首先将石英砂与焦炭混合;S2,取步骤S1制得的碳化硅原料,经破碎机中碎成碳化硅颗粒;S3,将步骤S2整形后的碳化硅颗粒通过酸碱一体式清洗除杂设备进行酸碱清洗除杂;S4,将步骤S3清洗除杂完成后的碳化粉末,本发明涉及 ...一种具有高效除杂功能的碳化硅制备工艺 - 百度学术
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10余家企业参与，5年内碳化硅（SiC）将全面入8英寸时代 ...
因此，碳化硅衬底生产工艺难度大，良率不高。这直接导致了碳化硅衬底价格高、产能低的问题。 近年来，碳化硅衬底正不断向大尺寸方向演进，衬底尺寸越大，单位衬底可制造的芯片数量越多，单位芯片成本就越低。
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